专 业 论 文 校园：天水师范学院 班级：2012 级应化 1 班 名字：汪治华 学号： 几种新式无机资料简介 资料是人类生计和开展的物质根底， 也是全部工程技术的根底。 现代科学技术的开展对 资料的功用不断提出新的更高的要求。 资料科学是当时科学研讨的前沿范畴之一。 以资料科 学中的化学问题为研讨目标的资料化学成为无机化学的重要学科之一。 资料首要包含金属资料、无机非金属资料、复合资料和高分子资料等各类化学物质。这 里简略介绍几种新式无机资料。 ● 氮化硅陶瓷资料 氮化硅（Ｓ ３ ４ ｉ Ｎ ）陶瓷是一种高温结构陶瓷资料，归于无机非金属资料。在Ｓ ３ ４ ｉ Ｎ 中， 硅原子和氮原子以共价键结合， ｉ Ｎ 具有熔点高、硬度大、机械强度高、 使Ｓ ３ ４ 热膨胀系数低、 导热性好、化学性质安稳、绝缘功用好等特色。它在１ ０ ℃的工作温度下能够保持强度不 ２０ 下降。氮化硅可用于制作高温轴承、制作无冷却式陶瓷发动机轿车、燃气轮机的燃烧室和机 械密封环等，广泛应用于现代高科技范畴。 工业上遍及选用高硅与纯氮在较高温度下非氧化气氛中反响制取Ｓ ３ ４ ｉＮ： 3Si+2N2 Ｓ３４ ｉＮ 选用化学气相堆积法也能够得到纯度较高的Ｓ ３ ４ ｉＮ： 3SiCl4 +2N2 +6H2 Si3N4 +12HCl 除Ｓ ３ ４外 ｉ Ｎ ，高温结构陶瓷还有 SiC，ZrO2，Al2O3 等。 ● 砷化镓半导体资料 砷化镓（GaAs）是一种多用途的高技术资料。除了硅之外，GaAs 已成为最重要的半 导体资料。 砷化镓是亮灰色晶体，具有金属光泽，质硬而脆。GaAs 的晶体结构与单质硅和金刚 石类似。 它在常温下比较安稳， 不与空气中的氧气和水效果， 也不与 HCl， 2SO4 等反响。 H 砷化镓是一种本征半导体，其禁带宽度比硅大，工作温度比硅高（50～250）℃， 引进惨杂元素的 GaAs 可用于制作大功率电子元器件。GaAs 中电子运动速度快，传递信 息块，GaAs 可用于制作速度更快、功用更强的计算机。GaAs 中的被激起的电子回到基 态是以光的方式开释能量，它具有将电能转换为光能的功用，可作为发光二极管的发光 组分，也能够制成二极管激光器，用于在光纤光缆中传递红外光。 ● 氧化锡气敏资料 气敏陶瓷是一类对气体灵敏的陶瓷资料。 早在 1931 年人们就发现 Cu2O 的电导率随水蒸 气吸附而产生改动。现代社会对易燃、易爆、有毒、有害气体的检测、操控、报警提出 了越来越高的要求，因而促进了气敏陶瓷的开展。1962 年今后，日本、美国等首要对 SnO2 和 ZnO 半导体陶瓷气敏元件进行实用性研讨，并获得突破性发展。