硅晶棒的出产一般最重要的包括几个工序：晶棒成长、晶棒裁切与检测、外径研磨。以下是一种出产方式所涉及到的工序细节：

  将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其彻底消融。

  待硅融浆的温度安稳之后，将晶种渐渐刺进其间，接着将晶种渐渐往上进步，使其直径缩小到必定尺度，保持此直径并拉长100至200毫米，以消除晶种内的晶粒摆放取向差异。

  颈部成长完成后，渐渐下降进步速度和温度，使颈部直径逐步加大到所需尺度（如5、6、8、12吋等）。

  不断调整进步速度和融炼温度，保持固定的晶棒直径，只到晶棒长度到达预订值。

  当晶棒长度到达预订值后再逐步加快进步速度并进步融炼温度，使晶棒直径逐步变小，以防止因热应力构成排差和滑移等现象发生，最终使晶棒与液面彻底别离。到此即得到一根完好的晶棒。

  将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺度进行细心的检测，以决议下步加工的工艺参数。

  因为在晶棒成长过程中，其外径尺度和圆度均有必定差错，其外园柱面也高低不平，所以有必要对外径进行修整、研磨，使其尺度、形状差错均小于答应差错。

  堵截的意图：沿着垂直于晶体成长的方向，切除硅棒的头（硅单晶的籽晶和放肩部分），尾部以及外观尺度小于标准要求的无用部分，将硅晶棒切成数段，一起，对硅棒切取样片，检测其电阻率，氧碳含量，晶体缺陷等相关质量参数。

  无论是选用直拉法或是区熔法成长的硅单晶棒，一般是按＜100 ＞或＜111 ＞晶向成长的。经过滚磨加工，使其外表整形到达根本的直径和直径公役要求，并确认其定位面的方位及其根本尺度。

  为了去除磨削工艺流程中的外表机械损害和沾污，有利于后道工序的加工，就要对其标明上进行非物理性腐蚀处理。

  一份来自瓦克化学的、请求号为CN1．4（授权公告号：CN102555087B）的发明专利，介绍了一种细硅棒的办法。

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